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SUD50N03-09P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
8 0
T C = - 55 °C
0.05
0.04
60
40
25 °C
125 °C
0.03
0.02
V GS = 4.5 V
20
0
0.01
0.00
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
3000
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2500
C iss
8
V DS = 15 V
I D = 30 A
2000
6
1500
4
1000
500
0
C rss
C oss
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
6
12
18
24
30
2.0
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
1.2
0. 8
0.4
0.0
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - J u nction Temperat u re ( °C )
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 71856
S-80793-Rev. G, 14-Apr-08
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
www.vishay.com
3
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